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　　他們根(gen)據第(di)一性(xing)原理的(de)理論計算，模仿了不同硼(peng)摻雜濃度與方位對金剛石(shi)外(wai)(wai)表(biao)(biao)(biao)再(zai)(zai)構(gou)的(de)影響，結(jie)果表(biao)(biao)(biao)明(ming)第(di)五(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)摻硼(peng)直接致(zhi)使了由金剛石(shi)到石(shi)墨(mo)的(de)構(gou)造(zao)相變，金剛石(shi)(111)面(mian)的(de)第(di)一個雙層(ceng)(ceng)(ceng)徹(che)底sp2化，改動為單層(ceng)(ceng)(ceng)石(shi)墨(mo)，并且徹(che)底脫離下面(mian)的(de)構(gou)造(zao)。這么構(gou)成(cheng)的(de)單層(ceng)(ceng)(ceng)石(shi)墨(mo)烯，層(ceng)(ceng)(ceng)內的(de)C-C鍵長為1.45 Å，跟(gen)下面(mian)襯(chen)底的(de)間隔為3.30 Å。這與石(shi)墨(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)內的(de)鍵長1.42 Å，以(yi)及石(shi)墨(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)距離3.35 Å都十分挨近，闡明(ming)存在金剛石(shi)-石(shi)墨(mo)烯的(de)相改動。這種構(gou)造(zao)相變是(shi)由于(yu)第(di)五(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)摻入(ru)的(de)硼(peng)原子增強了外(wai)(wai)表(biao)(biao)(biao)的(de)再(zai)(zai)構(gou)效(xiao)應(ying)所致(zhi)使。

    以后，他們采用CVD方法，在高溫高壓（HPHT）金剛石單晶的（111）外表上，經過硼摻雜和成長參數的調控，完成了石墨烯的自組織成長，所制備的石墨烯具有高質量、低缺點、大面積和高遷移率等特色。并且能夠經過改動成長條件，在金剛石襯底上制備出從單層到雙層及多層的石墨烯，很好地驗證了理論預言。這種金剛石襯底上的石墨烯資料，統籌了金剛石和石墨烯的很多優良物理特性，為研制別致功用的石墨烯器材奠定了基礎。
　

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